特許

J-GLOBAL ID：200903034222121679

複数の単結晶の成長方法およびそれに使用する装置

発明者： ジョン・ディ・ホールダー
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-072792
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年03月15日
要約：

【要約】【構成】 高純度単結晶を成長させるために使用される種類の炉におけるルツボにおいて収容される溶融物中の溶融源物質の純度を維持することによって補給溶融物から複数の高純度単結晶を成長させる方法。本発明の方法は、ルツボ中の源物質から少なくとも1つの結晶を成長させる工程、ルツボの残っている溶融物の容積の一部分を抜取る工程、溶融物に高純度源物質を添加する工程、およびさらに少なくとも1つの単結晶を成長させる工程を有する。本発明の方法において使用される抜取装置は、溶融源物質をレセプタクルに案内する送込チューブを有する絶縁レセプタクルを有する。【効果】 高い純度を保ちながら、溶融源物質の補給バッチから複数の単結晶を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

高純度単結晶を成長させるために使用する種類の炉におけるルツボに収容されている溶融物において溶融源物質の充分な純度を保持することによって、補給溶融物から複数の高純度単結晶を成長させる方法であって、方法が、ルツボにおいて源物質から少なくとも1つの結晶を成長させる工程;ルツボに残っている溶融物の容量の実質的な部分を抜取る工程;溶融物に高純度源物質を添加する工程;およびさらに少なくとも1つの単結晶を成長させる工程を含んでなり、これにより、溶融物における不純物の濃度の増加が、不純物濃度が汚染レベルに達する前に、溶融物から複数の結晶を成長させるために抑制されている成長方法。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-151295