特許
J-GLOBAL ID：200903034225580461
パターン検査方法及びパターン検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224017
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037139
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】半導体製造工程における材料、プロセス、露光光学系の特徴が現れる、微小パターンのラインエッジ形状の分析を非破壊検査により行い、定量的に分析し、製造工程の欠陥や観察装置の画像歪みを見出すパターンエッジ形状検査方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたパターンを荷電粒子線を用いた走査型顕微鏡により観察して(41)得られる2次電子強度あるいは反射電子強度の2次元分布情報(42)からパターン形状を検査する方法であって、2次元面内におけるパターンのエッジの位置を表すエッジ点の集合をしきい値法により検出する工程(45)と、検出されたエッジ点の集合に対する近似線を得る工程(48)と、エッジ点の集合と近似線との差を算出する(49)ことにより、エッジラフネス形状と特性を求める工程とを具備し、しきい値法に用いるしきい値として、複数個の値を用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたパターンを荷電粒子線を用いた走査型顕微鏡により観察して得られる2次電子強度もしくは反射電子強度の2次元分布情報からパターン形状を検査する方法であって、前記2次元分布情報から2次元面内における前記パターンのエッジの位置を表すエッジ点の集合をしきい値法により検出する工程と、検出された前記エッジに属するエッジ点の集合に対する近似線を得る工程と、前記エッジ点の集合と前記近似線との差を算出することにより、エッジラフネス形状を求める工程とを含むことを特徴とするパターン形状検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 J
, G01B 15/00 B
2F067AA54
, 2F067BB01
, 2F067BB04
, 2F067CC17
, 2F067EE03
, 2F067EE10
, 2F067GG06
, 2F067HH06
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK08
, 2F067RR29
, 2F067RR33
, 2F067RR35
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA03
, 4M106CA39
, 4M106DB21
, 4M106DB30
, 4M106DJ17
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
