研磨用組成物及びその調製方法並びに研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-093730
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297777
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【目的】シリコンウエーハ、半導体デバイス基板等の表面または端面、あるいは酸化膜/窒化膜等で表面を被覆した表面または端面の研磨加工を行なう研磨用組成物および該研磨用組成物の調整方法、および該研磨用組成物を用いた研磨加工方法を提供する。【構成】50〜120nmの粒子径の分画の酸化珪素粒子と、30〜50nmの粒子径の分画の酸化珪素粒子と、15〜30nmの粒子径の分画の酸化珪素粒子とが、重量比において1:0.2〜2:0〜1.5の割合で存在し、かつ研磨用組成物全体に対する酸化珪素粒子の濃度が1〜25重量%の範囲にあり、更に25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の範囲にある弱酸及び/または弱塩基を使用した弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせの塩を含むことによりpH8.7〜10.6の範囲でpHが緩衝作用を有する緩衝溶液として調製された研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法である。

請求項（抜粋）：

50〜120nmの粒子径の分画の酸化珪素粒子と、30〜50nmの粒子径の分画の酸化珪素粒子と、15〜30nmの粒子径の分画の酸化珪素粒子とが、重量比において1:0.2〜2:0〜1.5の割合で存在し、かつ研磨用組成物全体に対する酸化珪素粒子の濃度が1〜25重量%の範囲にあり、更に25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の範囲にある弱酸及び/または弱塩基を使用した弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせの塩を含むことによりpH8.7〜10.6の範囲でpHが緩衝作用を有する緩衝溶液として調製された研磨用組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/00 , B24B 57/02 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 621 E , B24B 37/00 H , B24B 57/02 , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

Fターム (6件)：

3C047FF08 , 3C047GG20 , 3C058AA07 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

研磨用組成物及び研磨加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-115290 出願人：田中弘明
特開平4-063428
ウェーハエッジ研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-331157 出願人：田中弘明

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