半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230348
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】本発明は、接着強度が強く、ボイドレスで印刷塗布することができる接着材を用いた耐リフロー性、温度サイクル性、耐PCT性に優れたパッケージサイズがチップサイズと等しい実装信頼性及び量産性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】電極パッドが形成された半導体素子の上の電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応力緩衝層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子表面及び電極パッド上に連続した導体部を有し、前記応力緩衝層の表面上の導体部上に外部電極を有し、該外部電極が存在する領域以外の前記応力緩衝層及び導体部及び応力緩衝層が存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又は前記導体部保護層の端面が同一面で外部に露出している半導体装置において、該応力緩衝層が25°Cで固体のエポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含む半導体装置。

請求項（抜粋）：

電極パッドが形成された半導体素子の上の電極パッド及び電極パッド周辺部以外の部分に応力緩衝層を有し、該応力緩衝層の表面及び半導体素子表面及び電極パッド上に連続した導体部を有し、前記応力緩衝層の表面上の導体部上に外部電極を有し、該外部電極が存在する領域以外の前記応力緩衝層及び導体部及び応力緩衝層が存在する領域以外の半導体素子の上に導体部保護層を有し、前記半導体素子及び前記応力緩衝層又は前記導体部保護層の端面が同一面で外部に露出している半導体装置において、該応力緩衝層が25°Cで固体のエポキシ系樹脂組成物とカルボキシル基を有する架橋型アクリロニトリルブタジエン系ゴム微粒子を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/30 D , H01L 23/12 L

Fターム (7件)：

4M109AA02 , 4M109BA07 , 4M109EA02 , 4M109EB02 , 4M109EB04 , 4M109EB06 , 4M109EB14

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