特許
J-GLOBAL ID：200903034236136547
透明導電膜のエッチング方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298397
公開番号（公開出願番号）：特開平6-148660
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】透明導電膜のエッチング方法、及び装置において、結晶成分からなるエッチング残渣を低減できる方法、及び装置を提供すること。【構成】エッチング残渣の発生を抑制し、発生した残渣を基板から除去する工程、または手段として、具体的には、(a)エッチング液に基板を浸析して、レジスト被着部分以外の透明導電膜をエッチングにより除去する工程、(b)基板を洗浄液に浸析してエッチング液を洗浄液とすみやかに置換する工程、(c)洗浄液で基板に残留するエッチング液を洗浄すると同時に、シャワー照射,超音波印加等によりエッチング時に発生した残渣を基板から除去する工程、(d)基板を乾燥する工程、の4工程を連続して設ける。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に酸化物からなる透明導電膜を被着形成後、レジストを塗布,電極パターンを露光・現像し、次いでウェットエッチングにより該パターン部分以外の透明導電膜を除去後、レジストを剥離する、透明導電膜のパターニング方法において、ウェットエッチングの工程が、(イ)エッチング液に基板を浸析して、レジスト被覆部分以外の透明導電膜をエッチングにより除去する工程、(ロ)エッチング液を洗浄液と速やかに置換する工程、(ハ)洗浄液で基板に残留するエッチング液を洗浄すると同時に、エッチング時に発生した透明導電膜のエッチング残渣を基板から除去する工程、(ニ)基板を乾燥する工程、の4工程が連続して設けられ、かつ途中の工程中では基板を乾燥させないことを特徴とする、透明導電膜のエッチング方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
, H01L 21/306
