特許

J-GLOBAL ID：200903034238139160

導電層の抵抗率を低下させる方法

発明者： シントルマイスター、アルノ ,  ヴィルハルティッツ、ペーター
出願人/特許権者： プランゼー アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-553240
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515930
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

モリブデン又はモリブデン合金から成る導電層の電気抵抗率を低下させる方法を提供する。本発明は、モリブデン又はモリブデン合金から成る導電層の表面上にMoO2薄膜を形成することを特徴とする。MoO2はモリブデン又はモリブデン合金より高い抵抗率を持っているが、通常モリブデンの表面に存在するモリブデンと酸素および窒素との化合物より低い抵抗率を持ちかつこの化合物を分解する働きがある。これにより10〜15%程度の層の抵抗率の低下を達成できる。

請求項（抜粋）：

モリブデン又はモリブデン合金から成る導電層の抵抗率を低下させる方法において、導電層の表面上にMoO2薄膜を形成することを特徴とする導電層の抵抗率を低下させる方法。

IPC (2件)：

H01L21/3205 ,  H01B13/00

FI (3件)：

H01L21/88 M ,  H01B13/00 503Z ,  H01L21/88 B

Fターム (15件)：

5F033GG04 ,  5F033HH20 ,  5F033MM15 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR03 ,  5F033SS08 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC01 ,  5G323BC02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-035976
  
• 特開昭59-041869
  
• 特開昭58-158930