分布帰還型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071714
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283480
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 -40°C〜+85°Cの広い温度範囲で安定に単一モード発振し、良好な温度特性を有する分布帰還型レーザを実現する。【構成】構成としては、4ウエル以下のMQW活性層と200μm以下の素子長からなり、埋め込まれた回折格子の山の高さが30nm以上ある分布帰還型レーザで、光出力端面に無反射コーティングを、後面に高反射コーティングを有する。【効果】分布帰還型レーザにおいて、ブラッグ波長の温度依存性と利得ピーク波長の温度依存性をほぼ等しくすることにより、広い温度範囲においても安定に単一モード発振するレーザを実現できる。この方法としては、ウエル数を少なくかつ素子長を短くすることにより、バンド・フィリング効果を助長してやればよい。さらに、回折格子の山の高さを高くすることにより、ディチューニング許容量を大きくできる。

請求項（抜粋）：

4ウエル以下の多重量子井戸構造を有する活性層と、200μm以下の素子長と、無反射コーティングを施した光出射面(前面)と、高反射コーティングを施した後面とを有する分布帰還型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-175686
特開平4-268680
特開昭62-097386

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