特許

J-GLOBAL ID：200903034243830017

樹脂封止型半導体装置

発明者： 村田 智司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103634
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283561
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置の高周波特性を改善する。【構成】 リードフレーム2のダイ面3に搭載した半導体素子4等を成形樹脂1で封止する半導体装置の封止用樹脂層の一部として、微小な中空体を含んだ層(中空体と液状樹脂混合体)6を備え、この中空体を含む層6の低誘電率によって半導体装置の高周波特性を改善する。この中空体は、 0.1〜 1,000μm程度の径寸法、或いは外形寸法で形成される。

請求項（抜粋）：

半導体素子を樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂層の一部として、微小な中空体を含んだ層を1層以上備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-080554
  
• 特開昭63-079353
  
• 特開平3-124052
  
• 特開昭61-237455