特許

J-GLOBAL ID：200903034248316893

光記録膜用保護膜のための焼結体の製造方法

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278936
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】 スパッタリング用ターゲットに用いるターゲット材として使用した時、安定した成膜が可能なZnS-SiO2 焼結体の製造方法。【解決手段】 平均粒径が5μm以下のZnS粉末を350〜600°Cで熱処理し、該ZnS粉末を平均粒径が5μm以上のSiO2 粉末と混合して造粒粉とし、該造粒粉を焼結するZnS-SiO2 焼結体の製造方法であって、これにより該焼結体の相対密度が90%以上となる。前記焼結を、Ar雰囲気、または真空中で、950〜1100°Cの焼結温度で、150〜300kg/cm2 に加圧した状態で行うことが好ましい。前記造粒粉は、熱処理を行った前記ZnS粉末中に、球状または角状の前記SiO2 粉末を10〜30 mol%添加して混合することが好ましい。

請求項（抜粋）：

平均粒径が5μm以下のZnS粉末を350〜600°Cで熱処理し、該ZnS粉末を平均粒径が5μm以上のSiO2 粉末と混合して造粒粉とし、該造粒粉を焼結することを特徴とするZnS-SiO2 焼結体の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/547 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/26 531

FI (4件)：

C04B 35/00 T ,  C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 H