特許

J-GLOBAL ID：200903034261909771

半導体レーザダイオード及びその製造方法

発明者： 木下 博之 ,  奥村 雅弘
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078678
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275955
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】高性能の半導体レーザダイオードを得る。【解決手段】単結晶サファイア板の主面上に、レーザ素子を成す窒化ガリウム系化合物半導体の多重層を備えた半導体レーザダイオードにおいて、該多重層におけるレーザ光の共振器を成す二つの背向端面が、上記単結晶サファイア板のC面から59.5〜60.5°傾き、かつR面から2.5〜3.5°傾いた方向に沿った劈開面から構成する。

請求項（抜粋）：

単結晶サファイア板の主面上に、レーザ素子を成す窒化ガリウム系化合物半導体の多重層を備え、該多重層におけるレーザ光の共振器を成す二つの端面が、上記単結晶サファイア板のC面から59.5〜60.5°傾き、かつR面から2.5〜3.5°傾いた劈開からなることを特徴とする半導体レーザダイオード。