特許
J-GLOBAL ID:200903034269194020

磁気記録ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-095676
公開番号(公開出願番号):特開2001-283405
出願日: 2000年03月30日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザと磁気ヘッドを集積化し、光アシスト効果を利用することで微小領域に磁気記録する光磁気記録ヘッドを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体発光素子と、強磁性体と、歪み発生手段と、を備え、前記半導体発光素子から放出される光により記録媒体を加熱昇温して記録部の保磁力を低下させ、この保磁力が低下した記録部に前記微小磁性体からの記録磁界を印加することにより前記記録媒体に磁気的情報を記録可能とした磁気記録装置であって、この歪み発生手段により前記強磁性体に歪みを付与して前記強磁性体の磁化方向を逆磁歪効果により変化させることにより、前記磁気的情報を記録する。
請求項(抜粋):
半導体発光素子と、強磁性体と、歪み発生手段と、を備え、前記半導体発光素子から放出される光により記録媒体を加熱昇温して前記記録媒体の記録層の保磁力を低下させ、この保磁力が低下した前記記録層に前記強磁性体から記録磁界を印加することにより前記記録媒体に磁気的情報を記録可能とした磁気記録ヘッドであって、前記歪み発生手段により前記強磁性体に歪みを付与して前記強磁性体の磁化方向を逆磁歪効果により変化させることにより、前記磁気的情報を記録することを特徴とする磁気記録ヘッド。
IPC (2件):
G11B 5/02 ,  G11B 11/10 502
FI (2件):
G11B 5/02 S ,  G11B 11/10 502 Z
Fターム (5件):
5D075AA03 ,  5D075CF10 ,  5D091AA08 ,  5D091CC30 ,  5D091HH20
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 電歪性/磁歪性薄膜メモリ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-043455   出願人:インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
審査官引用 (1件)
  • 電歪性/磁歪性薄膜メモリ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-043455   出願人:インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン

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