特許
J-GLOBAL ID：200903034270692335
1D-キロ-イノシトールの新規合成方法および中間体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八木田 茂 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-163810
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来既知の1D-キロ-イノシトール製造法に比べて、安価で効率よく高純度の1D-キロ-イノシトールを合成できる新しい方法を提供する。【解決手段】 式(1)のミオ-イノシトールの2,3-アセタールを選択的な有機スルホニル化、更にヒドロキシル基保護基の導入次にカルボン酸アルカリ金属塩と共に非反応性の極性溶媒中で加熱反応させ、式(VI)の化合物を生成し、更に式(VI)の化合物の脱保護処理により式(A)のID-キロ-イノシトールを生成させる。
請求項（抜粋）：
次の一般式(I)〔式中、次式(a)で表される基は、光学活性なケトンまたはアルデヒドから誘導された、あるいは該ケトンまたはアルデヒドのジメチルアセタールからアセタール部分のメトキシ基2個の解離により誘導された1,1-ジ置換メチリデン基の型のジ官能性ヒドロキシル保護基を示す〕で表されるミオ-イノシトールの2,3-アセタールを、次の一般式(II)(R3SO2)2O (II)〔式中、R3は低級アルキル基、ω-トリハロ-(低級)アルキル基、アリール基、好ましくはフェニル基、または低級アルキル基でもしくはニトロ基で置換されたフェニル基、あるいはアラルキル基、好ましくはベンジル基である〕で表される有機スルホン酸無水物、あるいは次の一般式(II')R3SO2X (II')〔式中、R3は前記と同じ意味をもち、Xは塩素または臭素原子である〕で表される有機スルホン酸クロリドまたはブロミドと反応させて、一般式(I)のミオ-イノシトール誘導体の1位ヒドロキシル基の選択的な有機スルホニル化を行い、これにより次の一般式(III)〔式中、R1およびR2を有する1,1-ジ置換メチリデン基およびR3は前記と同じ意味をもつ〕で表される1D-1-O-有機スルホニル-ミオ-イノシトール-2,3-アセタールを生成する第1工程と、一般式(III)の化合物に、モノ官能性のヒドロキシル保護基としてのアルカノイル基またはアロイル基R4を有するヒドロキシル保護基導入用のアシル化剤を反応させて次の一般式(IV)〔式中、R1およびR2を有する1,1-ジ置換メチリデン基およびR3は前記と同じ意味をもち、R4はモノ官能性のヒドロキシル保護基としてのアルカノイル基、好ましくはアセチル基またはアロイル基、好ましくはベンゾイル基を示す〕で表される1D-1-O-有機スルホニル-2,3-ジ-O-アセタール化-4,5,6-トリ-O-保護-ミオ-イノシトールを生成する第2工程と、一般式(IV)の化合物に次の一般式(V)R5CO2-M (V)〔式中、Mはアルカリ金属原子、好ましくはリチウムまたはナトリウムもしくはカリウム原子を示し、R5は低級アルキル基またはアリール基、好ましくは低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基を示す〕のカルボン酸アルカリ金属塩を非反応性の極性有機溶媒中で加熱下に反応させ、これによって一般式(IV)のミオ-イノシトール保護誘導体の1位の立体配置の反転を伴う、1位の有機スルホニルオキシ基-O-SO2R3の脱離とアルカノイルオキシ基またはアロイルオキシ基-O-CO-R5による置換反応を行って、次の一般式(VI)〔式中、R1およびR2を有する1,1-ジ置換メチリデン基ならびにR4およびR5は前記と同じ意味をもつ〕で表される1D-6-O-アルカノイルまたはアロイル-1,2-ジ-O-アセタール化-3,4,5-トリ-O-保護-キロ-イノシトールを生成する第3工程と、さらに一般式(VI)の化合物のヒドロキシル基保護用のアシル基R4ならびに6位のアルカノイル基またはアロイル基-CO-R5を脱保護処理により一般式(VI)の化合物から脱離させ且つこうして次の一般式(VII)〔式中、R1およびR2を有する1,1-ジ置換メチリデン基は前記と同じ意味をもつ〕で表される1D-1,2-ジ-O-アセタール化-キロ-イノシトールを生成する第4工程と、一般式(VII)の1D-キロ-イノシトール誘導体を酸処理して、これにより一般式(VII)の化合物から、上記の式(a)で表される1,1-ジ置換メチリデン基の型のジ官能性ヒドロキシル保護基を脱離させて次式(A)の1D-キロ-イノシトールを生成する第5工程とから成ることを特徴とする、1D-キロ-イノシトールの合成方法。
IPC (4件)：
C07C 29/10
, C07C 35/16
, C07D317/64
, C07M 7:00
C07C 29/10
, C07C 35/16
, C07D317/64
, C07M 7:00
