特許
J-GLOBAL ID：200903034271400370
接着半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157552
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045485
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 接着半導体基板の周縁部に未接着部分が生ぜず、接着半導体基板に傷やパーティクルの発生の心配のない接着半導体基板の製造方法を提供すること。【構成】 第1半導体ウエーハ2と第2半導体ウエーハ3の主面同士を密着し、酸化性雰囲気内での熱処理により接着する工程と、第1半導体ウエーハの周縁部を第2半導体ウエーハにダメージが達しない厚みまで研削する工程と、酸化膜4に比べて半導体ウエーハのエッチング速度が大きいエッチング液により第2半導体ウエーハ周縁部の酸化膜を露出する工程とを有する接着半導体基板1の製造方法。前記同様にして双方の半導体ウエーハを接着する工程と、第1半導体ウエーハの周縁部を第2半導体ウエーハにダメージが達しない厚みまで、100μm以上のダイヤモンドを含有する砥石により研削する工程と、第1の半導体ウエーハを1μm以下の厚みまで研削研磨を行なう工程とを有する接着半導体基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
外周に面取りが施され主面が鏡面研磨された第1半導体ウエーハと第2半導体ウエーハの主面同士、又は外周に面取りが施され主面が鏡面研磨された第1半導体ウエーハと第2半導体ウエーハのうち、少なくとも一方の主面に酸化膜を形成して前記第1半導体ウエーハと第2半導体ウエーハの主面同士を密着し、酸化性雰囲気内での熱処理により接着する工程と、前記第1半導体ウエーハの周縁部を、前記第2半導体ウエーハにダメージが達しない厚みまで研削する工程と、酸化膜に比べて半導体ウエーハのエッチング速度が大きいエッチング液により、酸化性雰囲気内で形成された前記第2半導体ウエーハ周縁部の酸化膜を露出する工程と、を有することを特徴とする接着半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
