半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310742
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148457
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】識別パターン23は、フィールド酸化膜12を薄くし、酸化膜の膜厚差で生じる干渉色の差で識別するが、その上部の層間絶縁膜16の膜厚も含めた膜厚差で干渉色が生じるため、干渉色の差をはっきりするためには、フィールド酸化膜12のエッチングを充分行う必要がある。しかしこのエッチングで、フィールド酸化膜を薄くすると、フィールド酸化膜12の素子分離性が低下する。【解決手段】識別パターン23の上部をシリコン酸化膜と異なる屈折率のバッファ多結晶シリコン25や、バッファシリコン窒化膜28で覆うことで、層間絶縁膜16を含めない膜厚で干渉色が生じるため、フィールド酸化膜12のエッチングを従来より抑えても干渉色の差が明瞭で、素子分離性も従来より向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、ホトリソグラフィー工程により、N型チャネル層形成領域と、識別パターン形成領域とを開口した感光性樹脂を形成する工程と、フィールド酸化膜と感光性樹脂との整合する半導体基板に、デプレッションMOSトランジスタのチャネル領域となるN型チャネル層を形成する工程と、エッチング工程により、感光性樹脂の整合するフィールド酸化膜を薄くし、フィールド酸化膜上に識別パターンを形成し、感光性樹脂を除去する工程と、フィールド酸化膜の整合する半導体基板上にゲート酸化膜を形成する工程と、全面に多結晶シリコンを形成する工程と、ホトエッチング処理によりゲート電極を形成し、ゲート電極の形成と同時に識別パターン形成領域上部を大きく覆うようにバッファ多結晶シリコンを形成する工程と、ゲート電極とフィールド酸化膜との整合する半導体基板に高濃度拡散領域を形成する工程と、全面に層間絶縁膜を形成する工程と、加熱処理を行い、高濃度拡散領域との不純物を活性化する工程と、ホトエッチング処理により層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、配線を形成する工程とを有することを特徴する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112 , H01L 21/02 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 27/10 433 , H01L 21/02 A , H01L 23/30 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-217659
半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292359 出願人：ヤマハ株式会社
特開平4-107861

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