特許
J-GLOBAL ID：200903034281375110
磁性メモリー及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145953
公開番号（公開出願番号）：特開平10-320972
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 従来の磁性メモリーは、非磁性基板上に非磁性スペーサ層を挟んで積層された2層の磁性層の少なくとも3層の積層体であったため、各層に最適な特性を実現するために成膜に細心の注意を払わねばならず、製造工程が極めて煩雑であった。【解決手段】 非磁性基板上に、銀マトリックス中にニッケル-鉄合金微粒子が分散されたグラニュラー薄膜よりなる単層の情報記録層2を有する磁性メモリーとし、このグラニュラー薄膜の成膜工程をスパッタリング法により行い、その際、前記非磁性基板に高周波バイアスを印加する。
請求項（抜粋）：
非磁性基板上に、銀マトリックス中にニッケル-鉄合金微粒子が分散されたグラニュラー薄膜よりなる単層の情報記録層を有する磁性メモリー。
IPC (3件)：
G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01L 43/08
G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01L 43/08 Z
