特許
J-GLOBAL ID：200903034283510031
表面波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216313
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074586
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 安価な電極材料を用いて構成することができ、電極の膜厚を増加させることなく、より低い周波数で使用することができ、温度特性の良好な、40%以上の大きな電気機械結合係数Kを容易に得ることができる、ラブ波を利用した表面波装置を提供すること。【構成】 0〜30°回転YカットX伝搬のLiNbO3 基板上に少なくとも1つのIDTを形成し、前記IDTを覆うようにZnO薄膜を形成した、ラブ波を利用した表面波装置において、前記IDT及び前記ZnO薄膜を前記LiNbO3 基板の+面に形成し、かつ、前記ZnO薄膜の膜厚をH(ZnO)、ラブ波の波長をλとしたときに、H(ZnO)/λが0.05〜0.2の範囲とされている表面波装置。
請求項（抜粋）：
0〜30°回転YカットX伝搬のLiNbO3 基板上に少なくとも1つのIDTを形成し、前記IDTを覆うようにZnO薄膜を形成した、ラブ波を利用した表面波装置において、前記IDT及び前記ZnO薄膜を前記LiNbO3 基板の+面に形成し、かつ、前記ZnO薄膜の膜厚をH(ZnO)、ラブ波の波長をλとしたときに、H(ZnO)/λが0.05〜0.2の範囲とされていることを特徴とする表面波装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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