半導体装置の検査方法および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274952
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093873
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハに損傷を与えることなく半導体ウェハの電気的欠陥を高感度かつ高分解能で検査、観察および解析する。【解決手段】 Arなどの不活性ガスをイオン源とした、イオンビーム1と、イオンビーム1を半導体ウェハ2へ照射することにより半導体ウェハ2から放出される二次電子3を検出する二次電子検出器4と、二次電子検出器4が検出した二次電子量を電位コントラスト像データに変換する制御回路5と、制御回路5より送られてくる電位コントラスト像を表示するモニタ6とから構成されるシステムにより、半導体ウェハ2の電気的欠陥の検査、観察および解析を行う。

請求項（抜粋）：

(a)その主面上に形成された絶縁膜に同一パターン形状の第1孔部と第2孔部とが形成された半導体ウェハの表面を、不活性ガスをイオン源としたイオンビームの照射によって走査する工程、(b)前記イオンビームの照射によって前記半導体ウェハから二次的に発生する電子を検出する工程、(c)前記(b)工程において検出された電子から前記第1孔部を示す第1画像と前記第2孔部を示す第2画像とを形成する工程、(d)前記第1画像と前記第2画像とを比較する工程、(e)前記(d)工程における比較の結果から前記第1孔部および前記第2孔部の電気的欠陥を判定する工程、(f)前記第1画像または前記第2画像を元に前記電気的欠陥を解析する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 , H01J 37/22 502 , H01J 37/28 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 21/66 S , H01L 21/66 C , H01J 37/22 502 H , H01J 37/28 Z , H01L 27/08 321 F

Fターム (21件)：

4M106AA01 , 4M106AA20 , 4M106CA16 , 4M106CA40 , 4M106DB05 , 4M106DJ11 , 4M106DJ23 , 5C033UU04 , 5C033UU06 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25

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