特許
J-GLOBAL ID：200903034286339252
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300747
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162921
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタに生じたしきい値電圧の揺らぎが圧縮された半導体装置を提供する。【構成】 定電流源103a,103bから接地電位GND側に定電流が流れ、定電流源103a,103bと接地電位GNDとの間に接続されるMOSトランジスタ105a,105bのそれぞれにはしきい値電圧Vth.H,Vth.Lが生じている。log変換回路107aはそのしきい値電圧Vth.Lの揺らぎを圧縮して差動増幅器109に与え、log変換回路107bはしきい値電圧Vth.Hの揺らぎを圧縮して差動増幅器109に与え、差動増幅器109はその差を求めて基準電圧V′′refとして出力し、変動の少ない基準電圧が得られる。
請求項（抜粋）：
第1電極に第1の基準電位が与えられ、第2電極に第2の基準電位が与えられ、その第1電極と制御電極との間にしきい値電圧が生じているトランジスタと、前記トランジスタの第1電極と制御電極との間に生じたしきい値電圧の揺らぎを圧縮する圧縮手段とを備えた、半導体装置。
IPC (2件)：
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