特許

J-GLOBAL ID：200903034292457259

半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法

発明者： 鈴木 康浩
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196462
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールの形成時に、コンタクトホール内に形成される汚染物質を確実に除去し、コンタクトホール内に埋め込まれる導電物質の劣化を抑制して、コンタクト不良を防止するようにした半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 アルミニウムからなる第1配線層1上に、SiO2 膜2a、2b及びSOG膜3からなる層間絶縁膜4を形成し、層間絶縁膜4を選択的にエッチング除去し、第1配線層1に達するコンタクトホール5を形成し、エチルアルコールが10%含まれるパーフロロカーボン系溶液の混合液によって洗浄し、コンタクトホール5の側壁に堆積された主としてアルミニウムのフッ化物からなる汚染物質6を除去してなる。

請求項（抜粋）：

導電物質からなる下地層上に、層間絶縁膜を形成する第1の工程と、層間絶縁膜を選択的に除去し、下地層に達するコンタクトホールを形成する第2の工程と、パーフロロカーボン系溶液を主溶液として、アルコール系溶液が0〜15%含まれる第1の混合液、又はケトン系溶液が0〜30%含まれる第2の混合液、あるいはアルコール系溶液とケトン系溶液との混合液が0〜30%含まれケトン系溶液に対してアルコール系溶液が0〜50%含まれる第3の混合液によって洗浄する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置におけるコンタクトホールの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/28