特許

J-GLOBAL ID：200903034292548610

半導体接合構造

発明者： 結城 文夫 ,  加藤 猛
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093831
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283564
出願日： 1996年04月16日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子と配線基板の電極を好適に接続する。【解決手段】 少なくとも4隅に配置されたアライメント用溝107と複数の第3のバンプ106を有する半導体素子102と、前記半導体素子102に整合する少なくとも4つの第1のバンプ104と複数の第2のバンプ105を有する配線基板103を備え、前記第1のバンプ104上に前記半導体素子102のアライメント用溝107を嵌合させることにより、前記第2のバンプ105と前記第3のバンプ106を接合させる。【効果】 (1)半導体接合構造の低コスト化、(2)半導体素子の基板への接続リペア性の向上、及び(3)バンプ接合の機械的信頼性の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

少なくとも4隅に配置されたアライメント用溝と複数の配線電極を有する半導体素子と、前記半導体素子のアライメント用溝と配線電極に整合する少なくとも4つのアライメント用電極と複数の配線電極を有する配線基板と、前記半導体素子の配線電極と前記配線基板の配線電極をアライメントするための前記配線電極のアライメント用電極上に配置された第1のバンプと、前記配線基板の配線電極上に配置された複数の第2のバンプと、前記半導体素子の配線電極上に配置された複数の第3のバンプとを有し、前記第1のバンプ上に前記半導体素子のアライメント用溝を嵌合させることにより、前記第2のバンプと前記第3のバンプが接合されて成ることを特徴とする半導体接合構造。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 R