特許

J-GLOBAL ID：200903034295414941

太陽電池及びその製造方法

発明者： 西谷 幹彦 ,  根上 卓之 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017220
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232436
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 窓層表面近傍で生成される電子-正孔対を、光電流として効率よく取り出すことのできる太陽電池及びその製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板1上に透光性の下部電極2を形成し、次いで、この下部電極2の上に窓層3を形成する。窓層3は、Al又はInをドーピングしたZnO薄膜3a、何もドーピングしないZnO薄膜3b及びCdS薄膜3cを順次積層した構造とする。次いで、窓層3の上に光吸収用半導体層4としてCdTe薄膜あるいはCuInSe2 薄膜(p型半導体)を形成し、その上に透光性の上部電極5を形成する。下部電極2としては,熱的プロセスを経てもZnOと激しく反応しない材料、例えば、ITO(インジウム-スズ酸化物)やSnO2 等を用い、上部電極5としては、Au、Ni等を用いて光吸収用半導体層4としての前記CdTe薄膜あるいはCuInSe2 薄膜とオーミック接触をとる。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に形成された透光性の下部電極と、前記下部電極上にZnO薄膜とCdS薄膜を順次積層して形成された窓層と、前記窓層の上に形成された光吸収用半導体層と、前記光吸収用半導体層の上に形成された透光性の上部電極とを少なくとも備えてなる太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-312285
  
• 特開平4-320381
  
• 特開平4-348571
  
• 特開昭61-205619