特許

J-GLOBAL ID：200903034296178303

有機銅錯体

発明者： 角田 巧 ,  高井 勉
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-159331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335530
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、30°C以下の融点を有し、且つ気化時の熱安定性にも優れ、CVD法による銅薄膜形成に適した有機銅錯体の提供を目的とする。【解決手段】 一般式(I)で表される有機銅錯体(式中R1、R2は炭素原子数1〜8のアルキル基または炭素原子数1〜8のパーフルオロアルキル基、R3は、H、F原子あるいは炭素原子数1〜8のパーフルオロアルキル基、R4〜R7は、少なくともそのうちの一つが、炭素原子数2〜8のアルケニル基で、その他がH原子あるいは、炭素原子数1〜8のアルキル基を表す)が上記課題の解決された有機銅錯体となることを見出した。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)【化1】で表される有機銅錯体(式中R1、R2は炭素原子数1〜8のアルキル基または炭素原子数1〜8のパーフルオロアルキル基、R3は、H、F原子あるいは炭素原子数1〜8のパーフルオロアルキル基、R4〜R7は、少なくともそのうちの一つが、炭素原子数2〜8のアルケニル基で、その他がH原子あるいは、炭素原子数1〜8のアルキル基を表す。)。

IPC (3件)：

C07C 49/24 ,  C23C 16/18 ,  C07F 1/08

FI (3件)：

C07C 49/24 ,  C23C 16/18 ,  C07F 1/08 B

Fターム (12件)：

4H006AA01 ,  4H006AB80 ,  4H006AB99 ,  4H048AA01 ,  4H048AB78 ,  4H048AB80 ,  4H048VA11 ,  4H048VA22 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01