特許
J-GLOBAL ID：200903034297795969
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294436
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 結晶化層の成長を抑制するとともにアモルファスシリコンの表面に効率よく凹凸を形成し、かつ、コンタクト抵抗を抑制する。【解決手段】 Si酸化膜2上に所定の厚さのアモルファスシリコンスタック3を形成する。そして、このアモルファスシリコンスタック3を介してSi酸化膜2とアモルファスシリコンスタック3との界面近傍にイオンを注入してこの界面をミキシングする。さらに、アモルファスシリコンスタック3を熱処理するとともにHSGグレイン7の核になる材料を照射してアモルファスシリコンスタック3の表面に核4を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜上に所定の厚さのアモルファスシリコン層を形成する工程と、このアモルファスシリコン層を介して前記シリコン酸化膜とアモルファスシリコン層との界面近傍にイオンを注入してこの界面をミキシングする工程と、このアモルファスシリコン層を熱処理するとともに凹凸形状の核になる材料を照射して前記アモルファスシリコン層の表面に前記核を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
