特許

J-GLOBAL ID：200903034301121625

SOI積層半導体基板の製造方法および製造装置

発明者： 冨田 真一
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207832
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066375
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 SOI膜厚のバラツキが少なく、より均一化したSOI膜厚を得ることができ、オーバーポリッシュの心配がなく、加工コストの低減を図る。【構成】 SOI積層半導体基板4の全面に亘るSOI膜厚分布を計測する工程と、シリコンをエッチングするエッチング液3を保持しSOI積層半導体基板のシリコン面に回転しながら接触する保持材8Aにより、SOI積層半導体基板の厚い箇所のSOI膜を、計測値に基づいて局所的にエッチングを行なう工程と、を備えたSOI積層半導体基板の製造方法。SOI積層半導体基板を固定する固定部6と、シリコンをエッチングするエッチング液を保持し、固定されたSOI積層半導体基板のシリコン面に回転しながら接触する保持材と、この保持材を回転しながら移動する回転支持部と、保持材にエッチング液を供給するエッチング液供給部2と、を備えたSOI積層半導体基板の製造装置。

請求項（抜粋）：

誘電体を介在させて少なくとも2枚の半導体ウエーハを接着し、SOI膜厚を均一に形成するSOI積層半導体基板の製造方法であって、前記SOI積層半導体基板の全面に亘るSOI膜厚分布を計測する工程と、シリコンをエッチングするエッチング液を保持し、前記固定されたSOI積層半導体基板のシリコン面に回転しながら接触する保持材により、前記SOI積層半導体基板の厚い箇所のSOI膜を、前記計測値に基づいて局所的にエッチングを行なう工程と、を備えたことを特徴とするSOI積層半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 J