特許
J-GLOBAL ID：200903034305896281
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びにこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399078
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195474
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【解決手段】 露光光に対して透明かつ表面の反りが0.5μm以下の基板上に位相シフト膜を成膜してなる位相シフトマスクブランクであって、位相シフト膜を成膜した後の反りが1.0μm以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。【効果】 本発明によれば、成膜前後での反りの変化が小さく、かつ表面の反りの小さい位相シフトマスクブランクが得られ、この位相シフトマスクブランクにパターンを形成することにより反りの変化によるパターン寸法の変動を少なく抑えることができ、高精度な位相シフトマスクを得ることができる。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明かつ表面の反りが0.5μm以下の基板上に位相シフト膜を成膜してなる位相シフトマスクブランクであって、位相シフト膜を成膜した後の反りが1.0μm以下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
