特許
J-GLOBAL ID：200903034306064948
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231054
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072902
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】光近接効果の高精度の補正を可能とし、解像度の高い半導体パターンを形成する。【解決手段】クオーツ基板1のシフタ配置領域に溝が形成され、この溝内に同一材料からなるアテニュエイティッド位相シフタ3が埋め込み形成され、溝の深さは最も薄い部分がdで、露光すべきパターンの疎密に応じて(2n-1)d(nは1以上の整数)の深さに設定されている。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明な基板の一主面側に露光光に対して半透明な位相シフタを露光すべきパターンとは逆パターンに形成し、透明部を通過する光と位相シフタ部を通過する光との間に(2n-1)π(nは整数)の位相差を持たせた位相シフトマスクにおいて、露光すべきパターンの疎密に応じて前記位相シフタの光透過率を可変設定してなることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
