特許
J-GLOBAL ID：200903034307727177
半導体装置を製造する方法およびそれによって製造された半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012622
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275394
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のシリコン基板ベースへの損傷の程度を限定する2ステップのプロセスにより商業的に利用可能な半導体装置の改良された製造方法を提供する。【構成】 半導体装置を製造する方法は、半導体装置のシリコン基板ベース14への損傷の程度を限定する第1のエッチ手順と、第1のエッチ手順の後に残余の装置のシリコン基板ベースの損傷された部分を除去するよう動作する後続のエッチ手順とを含む。
請求項（抜粋）：
一部がシリコン基板ベースで形成されたワークピースから半導体装置を製造する方法であって、シリコン基板ベースの損傷された部分の程度を限定する態様および条件でエッチングするエッチ手順を含み、前記エッチ手順は本質的に希ガスを欠くガス組成を使用して実行され、第1のエッチステップ半導体装置を少なくとも部分的に結果として生じ、ポリゲートストリップとシリコン基板ベースとの間にはさまれたところのみで、シリコン基板ベースの上のゲート酸化物層の上のポリゲートストリップに線形に接するスペーサ酸化物層の斜角を付けられた隆起部によって特性付けられる、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/306
