特許

J-GLOBAL ID：200903034313216710

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-348130
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160153
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 信頼性の高い金属ゲイトのTFTを作製する方法を提供する。【構成】 基板上に半導体領域102、103、ゲイト電極・配線104、105を、配線106によって電気的に接続した状態で形成し、陽極酸化をおこなって、ゲイト電極・配線の周囲に陽極酸化物を形成する。その後、レーザーもしくはそれと同等なエネルギーを有する電磁波を照射することによって、各配線のパターニングをおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体被膜を形成する工程と、前記半導体被膜上に絶縁性被膜を形成する工程と、前記絶縁性被膜上に、半導体もしくは金属被膜を選択的に形成する工程と、前記半導体もしくは金属被膜の上面および側面に陽極酸化法によって半導体もしくは金属酸化物被膜を形成する工程と、前記半導体もしくは金属被膜および半導体もしくは金属酸化物被膜に対し、レーザー光もしくはそれと同等のエネルギーを有する電磁波を照射して、任意の個所を切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-023479
  
• 特開昭59-021067
  
• 特開昭61-121080