特許
J-GLOBAL ID：200903034313837537
ノイズフィルタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061274
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226184
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体デバイスの破壊,誤動作を確実に防止し部品点数,実装コストを低減でき、かつ寿命特性の悪化を回避しさらにガラスを拡散させる際の抵抗値の変動を回避できるノイズフィルタを提供する。【構成】 電圧非直線特性を有する半導体磁器3の左, 右端面3a,3bに端面電極4を形成しその他の両側面3c,3dに側面電極5を形成する。半導体磁器3の内部に第1内部電極6を埋設し、その一端縁6aのみを一方の端面電極4に接続する。また半導体磁器3の内部に第1内部電極6とセラミック層2を挟んで重なり合う第2内部電極7を埋設しその両端縁7a,7bを側面電極5に接続する。さらに半導体磁器3の内部に第1内部電極6とセラミック層2を挟んで重なり合う抵抗体8を埋設し、セラミック層2の左, 右外縁2a,2bに端面電極4に接続される導出電極9を形成する。これに抵抗体8の左, 右端縁8a,8bを接続してノイズフィルタ1を構成する。また、端面及び側面電極を除く表面部分にガラス膜を形成する。
請求項（抜粋）：
電圧非直線特性を有する半導体磁器の互いに対向する第1,第2側面に第1,第2側面電極を形成するとともに、互いに対向する第3,第4側面に第3,第4側面電極を形成し、上記半導体磁器の内部に第1内部電極を埋設し、該第1内部電極の一端縁を上記第1,第2側面電極の一方に接続し、上記半導体磁器の内部にセラミック層を挟んで上記第1内部電極と重なり合う第2内部電極を埋設するとともに、該第2内部電極の両端縁を上記第3,第4側面電極に接続し、さらに上記半導体磁器の内部にセラミック層を挟んで上記第1内部電極と重なり合う抵抗体を埋設し、該抵抗体の両端縁を導出電極を介して上記第1,第2側面電極に接続したことを特徴とするノイズフィルタ。
IPC (2件)：
H01G 4/40 307
, H03H 7/075
