特許
J-GLOBAL ID:200903034321690863
セラミック配線基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-328956
公開番号(公開出願番号):特開2005-093945
出願日: 2003年09月19日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
【課題】半導体部品の小型化ないし高集積化に伴い、組み込まれる配線構造が複雑化ないし微細化しても、導体の周囲の誘電体層の変形がほとんど生じず、部品接続用のパッドが形成される基板主表面の平坦性を向上できるセラミック配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】緻密化したセラミック材料からなる単位板材50’の板厚方向にビアホールを形成し、また、該単位板材50’の少なくとも一方の主表面側に、配線部をなす層状導体要素30を収容する導体収容凹部30hを形成し、ビアホールにビア導体35となる金属材料を充填し、導体収容凹部30hに層状導体要素30をなす金属材料を充填することにより金属充填済み単位板材55を作製する。該金属充填済み単位板材55を板厚方向に積層して貼り合わせることにより、単位板材50’によりセラミック誘電体層50が形成され、層状導体要素30により金属導体層が形成されたセラミック配線基板2を得る【選択図】図21
請求項(抜粋):
緻密化したセラミック材料からなる単位板材の板厚方向にビアホールを形成し、また、該単位板材の少なくとも一方の主表面側に、配線部、面導体又はパッドからなる層状導体要素を収容する導体収容凹部を形成し、ビアホールに前記ビア導体となる金属材料を充填し、前記導体収容凹部に前記層状導体要素をなす金属材料を充填することにより金属充填済み単位板材を作製し、該金属充填済み単位板材を板厚方向に積層して貼り合わせることにより、前記単位板材によりセラミック誘電体層が形成され、前記層状導体要素により金属導体層が形成されたセラミック配線基板を得るセラミック配線基板の製造方法。
IPC (4件):
H05K3/46
, H01L23/12
, H05K3/00
, H05K3/10
FI (8件):
H05K3/46 H
, H05K3/46 B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 X
, H05K3/00 N
, H05K3/10 E
, H01L23/12 D
, H01L23/12 N
Fターム (47件):
5E343AA02
, 5E343AA07
, 5E343AA23
, 5E343BB03
, 5E343BB13
, 5E343BB22
, 5E343BB71
, 5E343BB72
, 5E343CC01
, 5E343DD12
, 5E343DD32
, 5E343EE33
, 5E343EE40
, 5E343ER35
, 5E343ER49
, 5E343FF05
, 5E343FF16
, 5E343FF30
, 5E343GG08
, 5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA16
, 5E346AA22
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346BB15
, 5E346CC17
, 5E346CC31
, 5E346CC41
, 5E346CC55
, 5E346DD22
, 5E346DD33
, 5E346DD34
, 5E346EE02
, 5E346EE06
, 5E346EE07
, 5E346EE12
, 5E346FF04
, 5E346FF18
, 5E346FF35
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG19
, 5E346GG28
, 5E346HH11
, 5E346HH26
引用特許:
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