絶縁膜の形成方法および形成システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068731
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い絶縁膜の形成方法および形成システムを提供する。【解決手段】 MISFET100のゲート絶縁膜104を、シリコン酸化膜106と、シリコン窒化膜107と、高誘電率膜108と、から構成する。シリコン酸化膜106およびシリコン窒化膜107は、ラジアルラインスロットアンテナを用いたマイクロ波プラズマ処理によって形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面領域にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記シリコン酸化膜の表面領域にシリコン窒化膜を形成する窒化膜形成工程と、前記シリコン窒化膜上に、シリコン酸化膜よりも誘電率の高い誘電率膜を形成する工程と、を備え、前記酸化膜形成工程は、酸素を含むガスに、複数のスリットを備える平面アンテナからマイクロ波を照射して生成したプラズマに、前記シリコン基板の表面を曝露し、前記シリコン基板の表面領域にシリコン酸化膜を形成する工程を備え、前記窒化膜形成工程は、窒素を含むガスに、複数のスリットを備える平面アンテナからマイクロ波を照射して生成したプラズマに、前記シリコン酸化膜の表面を曝露し、前記シリコン酸化膜の表面領域にシリコン窒化膜を形成する工程を備える、ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 M , H01L 21/316 A , H01L 21/316 P , H01L 21/318 A , H01L 29/78 301 G

Fターム (31件)：

5F058BA01 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF08 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140BA01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-174199 出願人：株式会社東芝
シリコン酸化膜の成膜方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-114355 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-097831 出願人：東京エレクトロン株式会社

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