特許
J-GLOBAL ID:200903034325375032

基板の表面上に金属層を作製する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-140514
公開番号(公開出願番号):特開平10-321561
出願日: 1998年05月06日
公開日(公表日): 1998年12月04日
要約:
【要約】【課題】 基板の表面の上に金属層を作製する方法が提供される。【解決手段】 銅相互接続54を形成する方法は、障壁層48を堆積する段階から始まる。中間層50は、障壁層48をプラズマ・シラン環境に暴露することによって、障壁層48の上に形成される。この層50は、堆積される時には導電性であって、接点抵抗は影響を受けない。層50は、銅シード層52によってその場で被覆される。層52は、周辺部除外領域20内では形成されず、それによって、層50の一部分50aを暴露する。この部分50aは、室環境内で本来酸化して、銅の電気メッキを阻止する障壁を形成し、これによって、銅はこの領域20内では電気メッキされない。そのため、領域50aは、銅の電気メッキにとって所望される周辺部除外領域を保護しつつ、銅の剥離を回避するために、障壁と銅との接合を防止する。
請求項(抜粋):
基板(12)の表面の上に金属層(54,52,50,48)を作製する方法であって:端部表面部分および中央表面部分を有する基板を準備する段階;前記基板の表面の上に重畳する金属層(48)を形成する段階であって、当該金属層が、前記基板の前記端部表面部分(20)と前記中央表面部分の両方の上に重畳する、ところの段階;前記金属層の上に重畳する中間層(50)を形成する段階;前記中間層の上に重畳するシード層(52)を堆積させる段階であって、当該シード層は、前記中央表面部分の上に重畳するが、前記端部表面部分(20)の上には重畳せず、それによって、前記端部表面部分内の前記中間層の一部分が暴露されて、それによって、暴露された中間層部分(50a)を形成する、ところの段階;および、前記シード層から金属領域(54)を電気メッキする段階であって、当該暴露された中間層部分が、前記基板の前記端部表面部分内で電気メッキを阻止する、ところの段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (3件):
H01L 21/288 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/768
FI (3件):
H01L 21/288 E ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/90 A

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