特許
J-GLOBAL ID：200903034325711423
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 隆秀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041519
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 素子サイズを増加させることなく、またオン特性を劣化させることなく、オフ電流の少ない薄膜トランジスタを提供すること。【構成】 ソース電極部2s、ドレイン電極部2dおよびそれらの間に形成されたチャネル領域2cが多結晶シリコン(poly-Si)により形成された薄膜トランジスタ(TFT)において、前記チャネル領域2cのソース/ドレイン接合付近の結晶粒界が、トランジスタ動作時の電流方向と平行になっている。前記TFTを製造する際、前記多結晶シリコンの結晶成長過程は、レーザ照射、およびシリコンイオン注入後熱処理する2段階よりなる。
請求項（抜粋）：
ソース電極部、ドレイン電極部およびそれらの間に形成されたチャネル領域が多結晶シリコン(poly-Si)により形成された薄膜トランジスタ(TFT)において、前記チャネル領域のソース/ドレイン接合付近の結晶粒界が、トランジスタ動作時の電流方向と平行になっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
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