多数個取りチップの封止方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-351978
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124528
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】半導体素子を変形、反り無くかつ気泡を内在させることなく封止成形する方法に係る。【解決方法】多数の半導体素子がマウントされた半導体素子の多数個取り基板の底面に下板に取りつける工程と、該下板の上に、該基板の周囲を取囲む弾性材料からなる堰を形成する工程と、該堰の中に封止用液状樹脂を注入して樹脂の中に素子を埋没させる工程と、該注入した樹脂の液面に上板を被せ、加圧して堰を弾性変形させて、余分の樹脂をオーバーフローさせる工程と、該上板と基板と堰と下板を一体的に固定して反転後、該樹脂を硬化させる工程と、硬化後、該上板と基板と堰と下板を解体する工程と、解体後、該基板から個々の素子を分割する工程を備えてなる半導体素子の封止方法において、該堰の高さは、樹脂をオーバーフローさせる側の高さを他の部位よりも低くしてなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

多数の半導体素子がマウントされた半導体素子の多数個取り基板の底面に下板に取りつける工程と、該下板の上に、該基板の周囲を取囲む弾性材料からなる堰を形成する工程と、該堰の中に封止用液状樹脂を注入して樹脂の中に素子を埋没させる工程と、該注入した樹脂の液面に上板を被せ、加圧して堰を弾性変形させて、余分の樹脂をオーバーフローさせる工程と、該上板と基板と堰と下板を一体的に固定して反転後、該樹脂を硬化させる工程と、硬化後、該上板と基板と堰と下板を解体する工程と、解体後、該基板から個々の素子を分割する工程を備えてなる半導体素子の封止方法において、該堰の高さは、樹脂をオーバーフローさせる側の高さを他の部位よりも低くしてなることを特徴とする半導体素子の封止方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 , H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 21/56 R , H01L 23/28 C

Fターム (8件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA06 , 4M109DB07 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA06 , 5F061CB13

前のページに戻る

多数個取りチッフ ゚の封止方法

多数個取りチップの封止方法