特許

J-GLOBAL ID：200903034332020622

半導体光素子及びその製造方法

発明者： 花巻 吉彦 ,  三橋 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-141753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326423
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 単一波長性を有し、高速動作と、低閾値動作の可能なリッジ導波路型の半導体光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 回折格子を埋め込む埋め込み層の表面に、導波路方向に伸びるストライプ状領域を形成し、ストライプ状領域の直上に第2導電型のクラッド層を埋め込み層に対して垂直に形成し、次いで、第2導電型のコンタクト層を該クラッド層の上に形成して、幅方向の断面形状が矩形であるリッジ部を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板上に、活性層と、回折格子を埋め込む埋め込み層と、リッジ部とを有するリッジ導波路型の半導体光素子の製造方法において、上記リッジ部を形成するに際し、上記埋め込み層の表面に、導波路方向に伸びるストライプ状領域を形成し、該ストライプ状領域の直上に第2導電型のクラッド層を埋め込み層に対して垂直に形成し、次いで、第2導電型のコンタクト層を該クラッド層の上に形成することを特徴とする半導体光素子の製造方法。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AA53 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35