特許

J-GLOBAL ID：200903034333558618

光電変換用半導体および光電変換素子

発明者： 豊田 竜生
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090052
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285975
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 光エネルギーで励起された色素から注入される電子を効率よく集電し光電流を増加し光電変換効率が大きくする。【解決手段】 半導体粒子を集合してなる多孔質層と色素からなる光電変換用半導体32において、半導体粒子表面、半導体粒子間の少なくとも一方に金属相37と含んでいることを特徴とする光電変換用半導体32、または表面を半導体化した金属粒子46を集合してなる多孔質層と色素からなることを特徴とする光電変換用半導体42およびその光電変換用半導体32、42が導電性基板30、31上に設けられていることを特徴とする光電変換素子。

請求項（抜粋）：

半導体粒子を集合してなる多孔質層と色素からなる光電変換用半導体において、半導体粒子表面、半導体粒子間の少なくとも一方に金属相と含んでいることを特徴とする光電変換用半導体。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (6件)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16