特許

J-GLOBAL ID：200903034335832342

単結晶製造装置

発明者： 橋本 正則
出願人/特許権者： 小松電子金属株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-146294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-000884
出願日： 1991年06月18日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は、不純物が成長するケイ素単結晶中に取り込まれるのを防止し、結晶欠陥が少なく信頼性の高い半導体単結晶を得ることのできる半導体単結晶製造装置を提供することを目的とする。【構成】本発明では、引上げ中の単結晶のまわりに所定の間隔を隔てて円筒を設置すると共に、この円筒の下端部からるつぼの原料融液を覆い放射状をなすように配設された羽板を有する円錐状の整流管を設置し、引上げ方向から原料融液方向にむけて、この円筒と単結晶との間に不活性ガスを流し、羽板によって層流をなすようにしている。

請求項（抜粋）：

原料融液を充填したるつぼと、前記るつぼの周囲に配設され、るつぼ内の原料を溶融し原料融液を形成する加熱ヒ-タと、前記るつぼ内の溶融原料に種結晶を浸漬して単結晶を引上げる引上機構とを具備した単結晶製造装置において、前記引上げ単結晶のまわりに所定の間隔を隔てて配設された円筒と、前記円筒の下端部から放射状に伸長する羽板を有し、前記るつぼの原料融液を覆うように前記円筒の下端部に連設された円錐状の整流機構とを具備し、前記円筒と単結晶との間に不活性ガスを流入し、前記整流機構を介して排出せしめるようにしたことを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-138386
  
• 特開平1-065086
  
• 特公平3-035279