特許

J-GLOBAL ID：200903034338269380

半導体装置及びその作製方法

発明者： 小野 幸治 ,  須沢 英臣 ,  荒尾 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347343
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210832
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス型の表示装置に代表される半導体装置において、各種回路に配置されるTFTの構造を回路の機能に応じて適切なものとして、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させると共に、工程数を削減して製造コストの低減と歩留まりの向上を実現することを目的としている。【解決手段】 半導体層と該半導体層に接して形成された絶縁膜と該絶縁膜の上にテーパー部を有するゲート電極を有する半導体装置において、半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の不純物元素を含むソース領域またはドレイン領域を形成する第1の不純物領域と、チャネル形成領域に接しLDD領域を形成する第2の不純物領域を有し、第2の不純物領域の一部はゲート電極と重ねて設けられ、第2の不純物領域に含まれる一導電型の不純物元素の濃度は、チャネル形成領域から遠ざかるにつれて高くする。

請求項（抜粋）：

半導体層と、該半導体層に接して形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上にテーパー部を有するゲート電極とを有する半導体装置において、前記半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の不純物元素を含むソース領域またはドレイン領域を形成する第1の不純物領域と、該チャネル形成領域に接しLDD領域を形成する第2の不純物領域を有し、前記第2の不純物領域の一部はゲート電極と重ねて設けられ、該第2の不純物領域に含まれる前記一導電型の不純物元素の濃度は、前記チャネル形成領域から遠ざかるにつれて高くなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 616 V ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122680   出願人：三菱電機株式会社
• 液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-185635   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所