特許
J-GLOBAL ID：200903034345861014
イオン発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-340013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155842
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 イオン発生量を増大させると共にイオン発生量をコントロールする。【解決手段】 単結晶シリコンウエハの一面に先端径が1μm以下の複数の針状部24を有するシリコン電極22を用いると共に、コイル34に電流を流すことによりシリコン電極22と対向電極26との間に磁界を生じさせる。電界の集中が複数の針状部24の先端部に生じることにより、低い電圧でも放電が生じ、多量のイオンを発生させることができる。更に、磁界を生じさせることにより、イオンや電子は磁力線に沿って螺旋運動をしその軌跡を長くするから、イオンや電子が空気中の原子などに衝突する頻度が多くなり、イオン発生量が飛躍的に増加する。また、コイル34に流す電流を変更することによりイオン発生量をコントロールすることができる。
請求項（抜粋）：
放電によりイオンを発生するイオン発生装置であって、単結晶シリコンウエハの一面に略並行に配列した複数の針状部が形成されたシリコン電極と、所定距離だけ離れて前記複数の針状部に対向する対向電極と、前記シリコン電極と前記対向電極とに電圧を印加する電圧印加手段とを備えるイオン発生装置。
IPC (5件)：
H01T 23/00
, H01J 27/08
, H01J 37/08
, H01L 21/265
, H05H 1/24
H01T 23/00
, H01J 27/08
, H01J 37/08
, H05H 1/24
, H01L 21/265 603 A
5C030DD10
, 5C030DE10
, 5C030DG09
