特許
J-GLOBAL ID：200903034349544064
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333892
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172242
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザのように表面に段差のある素子に自転,公転等の複雑高価な機構を含まない簡単な装置で大電流を流し得る電極や配線を形成する。【構成】 ストライプ状の活性層10、これに電流を注入するオーミックコンタクトになる電極12、これに接続する引き出し電極13、引き出し電極のボンディングパッド部14及びこれと電極13とを接続する配線部を基板上に形成した半導体レーザにおいて、ストライプの両側に溝を掘り側面を絶縁膜で被覆して注入電流を閉じ込める。つぎに指向性の高い電子ビーム蒸着装置を用い、上方又は斜め上方から金属粒子を照射する簡単な方法で電極と配線部分を形成する。その際、素子表面の電気的に接続したい部分は蒸発源を望めるように順メサ斜面で電極間をつなぎ、分離したい部分は逆メサ斜面で蒸発源に対して遮蔽して、自己整合的に分離や接続の構造を作る。
請求項（抜粋）：
主面に凸部及び凹部を有する半導体基板と、前記凸部の一部に形成された電極とを備え、前記電極は、電圧を印加するか又は電流を注入するための電極部、この電極部に隣接し、周囲が前記凹部に囲まれているボンディングパッド部及び前記電極部とボンディングパッド部とを電気的に接続する配線部からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/60 301
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
