特許
J-GLOBAL ID：200903034352068834
プロセスガス供給装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-138002
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハの製造・処理装置へのプロセスガス供給装置を提供する。【構成】 原料ガスタンク1からの原料ガスを蒸発器2で蒸発させたのち減圧弁3で減圧し精製装置4を経て供給管5を介して半導体ウェーハの製造・処理装置6へプロセスガスとして供給する際に、減圧弁3の出側に逆止弁9を設けるとともに、製造・処理装置6の入側部に回収管10を配設し、この回収管10と供給管5とを各製造・処理装置6の末端部において結合する放出弁11を取付け、回収管10と逆止弁9の出側との間に圧縮機12とレシーバタンク13と冷却器14と逆止弁15とを順次接続することにより、プロセスガスの再循環配管系を構成する。
請求項（抜粋）：
原料ガスタンクからの原料ガスを蒸発器で蒸発させて減圧弁で減圧し精製装置で精製したのち、供給管を介して半導体ウェーハの製造・処理装置へプロセスガスとして供給する装置であって、前記減圧弁の出側に逆止弁を設けるとともに、前記製造・処理装置の入側部に回収管を配設し、この回収管と前記供給管とを各製造・処理装置の入側部において回収弁を用いて結合し、前記回収管と前記逆止弁の出側との間に圧縮機とレシーバタンクと冷却器と逆止弁とを順次接続してなることを特徴とするプロセスガス供給装置。
IPC (2件)：
B01J 4/00 102
, H01L 21/205
