特許
J-GLOBAL ID：200903034354336658
パワー素子とスナバ素子の接続構造及びその実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057837
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273276
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 パワー素子とスナバ素子の接続構造において、スナバ素子のサージ電圧吸収効果を向上することと、パワー素子とスナバ素子の実装構造において、放熱性を向上することを目的とする。【構成】 2つの金属基板32,22に夫々設けられたスナバ素子とパワー素子間をパッド35,28を介して最短距離で電気的に接続することにより、配線が持つ寄生インダクタンスを低減して、外部への電波雑音等の発生を低減するようにし、又、両金属基板22,32同士の一体化結合物を、放熱器に形成された溝内に挿入実装するようにして、パワー素子で発生した熱のみならず、スナバ素子で発生した熱も効果的に放熱させるようにすると共に、電波雑音の大きなシールド効果を得るようにした。
請求項（抜粋）：
パワー素子を実装した基板と、スナバ素子を実装した基板とを設け、両基板同士を素子実装面を突き合わせて一体化結合し、両基板夫々の素子同士を電気的に接続したことを特徴とするパワー素子とスナバ素子の接続構造。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
H01L 25/04 C
, H01L 23/12 H
