特許
J-GLOBAL ID：200903034355620945
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149604
公開番号（公開出願番号）：特開平10-339943
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 被露光材上の不良チップの位置その他チップの位置の確認作業を容易に行え、検査や解析の時間が短縮でき、また不良チップの原因がマスクまたはレチクルに起因する不良であるか否かを容易に判断でき、マスクまたはレチクルに起因する不良の際も、マスクまたはレチクルの問題個所の特定が容易で、効率良く検査できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 マスクまたはレチクル2を用いて投影露光を行う工程を有して半導体装置を製造する際、マスクまたはレチクルは、そのスクライブライン3上に、被露光材のチップ座標を表すデータを付したものとする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
マスクまたはレチクルを用いて投影露光を行う工程を有する半導体装置の製造方法において、上記マスクまたはレチクルは、そのスクライブライン上に、被露光材のチップ座標を表すデータを付したものとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 S
, H01L 21/30 502 G
