相変化メモリ装置及びそのプログラム方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-307156
公開番号（公開出願番号）：特開2007-164964
出願日： 2006年11月13日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】本発明は相変化メモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明に係る相変化メモリ装置は相変化物質を有するメモリセル、前記メモリセルにプログラム電流を提供する書き込みドライバ、及び前記プログラム電流がステップダウンセット電流である場合、前記ステップダウンセット電流のセットプログラム時間を調節するセットプログラム制御回路を含む。前記セットプログラム制御回路は前記ステップダウンセット電流の単位ステップ時間またはステップ数を調節してセットプログラム時間を減らす。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

相変化物質を有するメモリセルと、前記メモリセルにプログラム電流を提供する書き込みドライバと、前記プログラム電流がステップダウンセット電流である場合、前記ステップダウンセット電流のセットプログラム時間を調節するセットプログラム制御回路とを含むことを特徴とする相変化メモリ装置。

IPC (1件)：

G11C 13/00

FI (1件)：

G11C13/00 A

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