特許

J-GLOBAL ID：200903034364376542

絶縁ゲート型半導体装置およびそれを用いた駆動回路装置ならびに電子システム

発明者： 坂本 光造 ,  吉田 功 ,  大高 成雄 ,  飯島 哲郎 ,  庄野 春虎 ,  内田 憲 ,  小林 正義 ,  角田 英樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204364
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058293
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の保護機能が働く条件の拡大と加熱遮断の向上と誤動作防止と使い勝手の向上を図ることにある。【構成】 本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、電力用絶縁ゲート型半導体素子(M9)と、該電力用絶縁ゲート型半導体素子を制御する保護回路用MOSFET(M1〜M7)と、定電圧回路用ダイオード(D2a〜D2f)の順方向電圧を利用した定電圧回路と、該定電圧回路の電源電圧の上限を制御する電圧制限用のダイオード(D1とD0a〜D0d)とを具備し、該電圧制限用のダイオードの電力が前記電力用絶縁ゲート型半導体素子の外部ゲート端子から供給されることを特徴とするものである。【効果】 本発明によれば、保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の信頼度を向上と使い勝手の向上を図れるという効果がある。

請求項（抜粋）：

電力用絶縁ゲート型半導体素子と、該電力用絶縁ゲート型半導体素子のゲート電流を制御する保護回路用MOSFETと、第1のダイオードの順方向電圧を利用した定電圧回路と、該定電圧回路の電源電圧の上限を制限する定電圧制限手段とを具備し、該定電圧制限手段の電力が前記電力用絶縁ゲート型半導体素子の外部ゲート端子から供給されることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 321 K ,  H01L 29/78 321 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭51-034270
  
• 特開昭62-143450
  
• 特表平5-503190