特許
J-GLOBAL ID:200903034364702784
ステンシルマスクの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-153396
公開番号(公開出願番号):特開2001-337444
出願日: 2000年05月24日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】単結晶シリコンウェハにパターン開口部を形成する工程や、特に中間シリコン酸化膜をエッチングする工程での異物の付着を無くし、製造歩留まりの高い高品質のステンシルマスクを製造する方法を提供することを課題とする。【解決手段】2枚の単結晶シリコンウェハを中間シリコン酸化膜で貼り合わせたSOIウェハを用いて、ステンシルマスクを製造する方法において、少なくとも一方のシリコンウェハにパターン開口部を形成した後、エッチング液中で分散・表面張力低下能力を有する界面活性剤を、エッチング液に対して0.005〜0.5重量%の範囲で添加したエッチング液を用いて中間シリコン酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法を提供する。界面活性剤は例えばポリオキシエチレンアルキルエーテルなどを用いる。
請求項(抜粋):
2枚の単結晶シリコンウェハを中間シリコン酸化膜で貼り合わせたSOIウェハを用いて、ステンシルマスクを製造する方法において、少なくとも一方のシリコンウェハにパターン開口部を形成した後、エッチング液中で分散・表面張力低下能力を有する界面活性剤を、エッチング液に対して0.005〜0.5重量%の範囲で添加したエッチング液を用いて中間シリコン酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
IPC (3件):
G03F 1/16
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (4件):
G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
, H01L 21/306 B
, H01L 21/306 D
Fターム (16件):
2H095BA09
, 2H095BB05
, 2H095BB14
, 5F043AA02
, 5F043AA31
, 5F043AA35
, 5F043BB02
, 5F043BB22
, 5F043BB23
, 5F043EE23
, 5F043FF04
, 5F043GG10
, 5F056AA06
, 5F056AA22
, 5F056EA04
, 5F056FA05
引用特許:
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