特許
J-GLOBAL ID：200903034366301078
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265410
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106350
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 アイランド部に搭載した半導体素子をアイランド部に接地するための金属ワイヤの長さを短くし、高周波特性を改善することを可能にする。【構成】 半導体素子3をマウント材8により搭載するアイランド部(タブ)2の表面に半導体素子3の底面積よりも小さい面積の凹状部7を形成し、この凹状部7にマウント材8を介装し、この凹状部7を覆うように半導体素子3を搭載する。凹状部7は半導体素子3により覆われるため、マウント材8が半導体素子3の周辺のタブ2の表面に流れ出すことが抑制でき、接地用の金属ワイヤ5の長さを短くでき、半導体装置の高周波特性を改善する。
請求項（抜粋）：
半導体素子をマウント材によりアイランド部に搭載し、前記半導体素子の電極とアイランド部とを金属ワイヤによりボンディングする半導体装置において、前記アイランド部の表面に半導体素子の底面積よりも小さい面積の凹状部を形成し、この凹状部にマウント材を介装し、この凹状部を覆うように前記半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/52
, H01L 21/60 301
