特許

J-GLOBAL ID：200903034367417967

希土類イオンをドープした窒化ガリウムおよび可視光発光を達成する方法および構造

発明者： ヘンリック、ジェイ.ロジコフスキー ,  ダブリュ.エム.ヤドウィジーンクザック
出願人/特許権者： オハイオ ユニバーシティー
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-600286
公開番号（公開出願番号）：特表2002-537647
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2002年11月05日
要約：

【要約】本発明は、少なくとも1種のREイオンをドープしたGaN半導体結晶であって、その構造が少なくとも約1,000°Cの温度でアニールされている結晶である。結果として、適切な励起により励起状態にある場合に、約380ナノメートル〜約1000ナノメートルの範囲にわたるルミネセンススペクトルを提供するように、その構造を適合させることが好ましい。本発明は、様々な光電子素子のいずれかでの使用に適した陰極ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスを作製する装置および方法も含む。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の希土類イオンのドーパントを有する窒化ガリウム半導体結晶を含む構造であって、前記構造が少なくとも約1,000°Cの温度でアニールされていることを特徴とする構造。

IPC (3件)：

H01L 21/265 601 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 21/265 601 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (11件)：

5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F073CA02 ,  5F073CB16 ,  5F073CB18 ,  5F073DA11 ,  5F073DA16