特許

J-GLOBAL ID：200903034369804984

半導体ウェーハ収納容器の評価方法

発明者： 中村 誠也 ,  高地 通夫
出願人/特許権者： 信越ポリマー株式会社
代理人 (3件)： 荒井 鐘司 ,  河野 尚孝 ,  嶋崎 英一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-136237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-340685
出願日： 2003年05月14日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】半導体ウェーハの表面に汚染物質がどのように分布しているかを正確に測定することによって、分析対象となる半導体ウェーハ収納容器内の局所的な評価を行う。【解決手段】1又は複数の貫通孔4と、前記貫通孔4毎にサポート部3とを有する試料用ウェーハ片保持治具本体1に試料用半導体ウェーハ片2を収容し、前記試料用ウェーハ片保持治具本体1を評価すべき半導体ウェーハ収納容器5内に収納して所定時間放置した後、前記試料用半導体ウェーハ片2表面に吸着ないし付着して捕集された汚染物質を測定することにより前記半導体ウェーハ収納容器内の局所的な汚染状態を評価する。汚染物質の測定が、試料用半導体ウェーハ片2に捕集された汚染物質を脱離させる工程と、脱離させた汚染物質を測定する工程とからなること、捕集された汚染物質を脱離させる工程が加熱脱離工程からなり、汚染物質を測定する工程がガスクロマトグラフィー及び/又は質量分析に供する測定工程からなることができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

1又は複数の貫通孔と、前記貫通孔毎にサポート部とを有する試料用ウェーハ片保持治具本体に試料用半導体ウェーハ片を収容し、前記試料用半導体ウェーハ片保持治具本体を評価すべき半導体ウェーハ収納容器内に収納して所定時間放置した後、前記試料用半導体ウェーハ片表面に吸着ないし付着して捕集された汚染物質を測定することにより前記半導体ウェーハ収納容器内の局所的な汚染状態を評価することを特徴とする半導体ウェーハ収納容器の評価方法。

IPC (7件)：

G01N30/00 ,  G01N1/22 ,  G01N1/28 ,  G01N27/62 ,  G01N30/04 ,  G01N30/06 ,  G01N30/88

FI (8件)：

G01N30/00 E ,  G01N1/22 L ,  G01N27/62 V ,  G01N30/04 A ,  G01N30/06 G ,  G01N30/06 Z ,  G01N30/88 H ,  G01N1/28 X

Fターム (23件)：

2G052AA13 ,  2G052AA18 ,  2G052AB01 ,  2G052AB11 ,  2G052AD02 ,  2G052AD32 ,  2G052AD42 ,  2G052AD46 ,  2G052BA21 ,  2G052CA03 ,  2G052CA12 ,  2G052EB01 ,  2G052EB04 ,  2G052EB11 ,  2G052EB13 ,  2G052ED01 ,  2G052ED07 ,  2G052ED09 ,  2G052FD10 ,  2G052GA13 ,  2G052GA24 ,  2G052GA27 ,  2G052JA04