特許
J-GLOBAL ID：200903034370868236
エピタキシャル成長用ガスの供給方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130595
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278987
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル成長用ガスを所定の濃度及び所定の圧力に容易に設定でき、1基のガス供給装置により複数の反応炉に一定の濃度を有する高純度のエピタキシャル成長用ガスを連続的に安定して供給する。【解決手段】 液体原料を気化器19でこの液体の沸点以上の温度で加熱して気化し、気化した原料ガスとキャリアガスとを混合器43で所定の濃度で混合し、この混合ガスをその凝縮点を越えた温度で加熱保温しながら混合ガスの流量を調整した後、この混合ガスをその凝縮点を越えた温度で加熱保温しながらエピタキシャル成長用反応炉51に供給する。気化器において加熱媒体の温度を一定にして液体原料を気化し、気化器内のガスの圧力により気化器への液体原料の供給量を調整すれば、気化器の液面レベルを常に一定に制御することができる。
請求項（抜粋）：
液体原料を気化器で前記液体の沸点以上の温度で加熱して気化する工程と、前記気化器により気化した原料ガスをその凝縮点を越えた温度で加熱保温しながら前記原料ガスの流量を調整する工程と、前記流量調整した原料ガスをその凝縮点を越えた温度で加熱保温しながらエピタキシャル成長用反応炉に供給する工程とを含むエピタキシャル成長用ガスの供給方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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